产能告急！AI吃掉30%存储产能，HBM价格飙至5000美元一片！
1500元以下的低端手机正在面临“内存断供危机”——这不是危言耸听。9月30日，美光科技宣布全面暂停DDR4、LPDDR4报价一周，重启报价后全系产品涨价20%-30%，而LPDDR4X现货价更是飙升至每GB 1.2美元，反超同容量LPDDR5X价格，创下存储
hbm
收藏！半导体+HBM+算力等科技赛道 不是瞎炒 逻辑都在这
前几天有朋友拿着一堆科技股名单问我“这些都沾了HBM、算力概念，该选哪个”，我一看发现他把不同赛道的公司混在一起，根本没搞懂背后的逻辑。其实现在热门的半导体、HBM、存储、光刻机、机器人、算力、5G这些赛道，不是孤立的“热点”，而是围着“技术突破”和“需求爆发
全球存储芯片迎来“超级周期”！国产替代加速，核心龙头全解析
近日，存储行业传出重磅信号：全球模组龙头威刚宣布自9月29日起暂停报价，这一举动被业内视为存储芯片价格即将全面上调的强烈信号。据财联社最新调研，预计今年第四季度至2026年，存储芯片价格将进入持续上升通道。
值得珍藏：半导体+HBM+存储+光刻机+七大科技+机器人+算力+5G等！
从周期视角看，全球半导体销售额在2024年触底后，2025年上半年同比增长12.3%（数据来源：SEMI）。这一反弹的核心动力来自AI算力需求爆发、智能汽车渗透率提升以及消费电子库存周期反转。以AI服务器为例，2025年全球AI服务器出货量预计突破150万台，
传长江存储计划进军DRAM市场，将生产HBM
三位知情人士透露，中国最大的NAND闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正计划扩展到 DRAM 芯片制造业务，包括用于制造人工智能芯片组的高级版本。
三星存储芯片霸主地位被撼动？HBM失误致“王座”不稳
尤其在DRAM领域，三星领先优势巨大，几乎无人能撼动其“神坛”地位。但如今，意外发生了：因HBM芯片失误，三星被SK海力士拉下马，终结了33年内存第一的垄断。
美光科技2025年年报：HBM弯道超车，当前股价便宜吗？
今天，故事的主角，就是这样一家正在经历深刻蜕变的公司——美光科技（Micron, MU）。禅兄第一次真正关注跟踪研究这家公司是喜马拉雅资本李录重仓那会。第二次关注到该公司是在2023年阅读一本讲半导体历史发展的书籍上听到，公司大股东是爱荷华州的一个给麦当劳提供
长江存储杀入HBM赛道！美股美光应声下跌，这些芯片股或迎东风
半导体圈又炸响一颗惊雷。9月末，一则“长江存储计划进军DRAM市场，重点研发HBM”的消息，不仅让美国存储巨头美光股价单日重挫3%，更搅动了全球HBM（高带宽内存）市场的竞争格局。这个曾以NAND闪存技术突破闻名的“国产存储尖兵”，为何突然转向DRAM？这场突
AI热潮从HBM蔓延至传统存储，韩国芯片股迎来“超级周期”？
本月，韩国两大芯片制造商的股价大幅上涨，市值增加了逾 1000 亿美元。这种涨势预计还将持续下去，因为人工智能热潮正在向科技领域中较为平淡的领域蔓延。分析师们本季度将韩元汇率的目标值上调了约 30%。摩根士丹利预测，由于供需失衡的情况将在明年出现，内存市场将进
华为破局！从堆叠到封装：解密国产HBM全产业链的突围之路！
在人工智能浪潮席卷全球的今天，大型模型训练需要处理的海量数据对芯片内存带宽提出了前所未有的要求。正是在这一背景下，高带宽内存（HBM）技术成为AI芯片性能发挥的关键制约因素。长期以来，HBM市场被三星、SK海力士和美光三大国际巨头垄断，而这一局面正在被悄然打破
HBM成为印钞机
财报显示，该公司本季度营收为113.2亿美元，而上一季度为93.0亿美元；全年营收则从251.1亿美元增长至373.8亿美元。当中，美光HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM的总收入达到100亿美元，较2024财年增长了五倍。人工智能对HBM的需求支撑了美
美光电话会：2025财年资本支出将大幅增长，继续集中在HBM上，先进制程供应紧张
在财报发布后的财报电话会中，美光表达了乐观的预期，2025财年资本支出将大幅增长，占收入比重将达到35%左右，2025财年预计实现数十亿美元的HBM收入；先进制程的供应非常紧张，供应紧张不仅存在于HBM市场，也存在于非HBM市场。
HBM市场三强争霸：美光Q2市占率超越三星 SK海力士稳居第一
周三公布的最新数据显示，三星电子第二季度在全球高带宽内存（HBM）芯片市场的份额下滑至第三位，而美光科技升至第二位。
三星电子第二季度全球HBM市占率降至第三，被美光超越
周三公布的数据显示，三星电子第二季度在全球高带宽内存（HBM）芯片市场的份额下滑至第三位，美国美光科技公司升至第二位。根据行业追踪机构Counterpoint Research的数据，三星电子在第二季度占据了全球HBM芯片市场的17%，低于美光的21%。SK海
美光财报会拆解半导体供需：DRAM/NAND库存下降 HBM成增长核心
周二美股盘后，在AI热潮的推动下，全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季（截至8月28日的三个月）营收和利润，并对当前季度（26财年第一财季）业绩给出了强劲的指引。
美光科技CEO：HBM芯片供不应求 将成明年存储板块核心增长动力
【美光科技CEO：HBM芯片供不应求 将成明年存储板块核心增长动力】财联社9月24日电，美东时间周二盘后，美光科技CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM）供需不平衡将加剧，因DRAM 库存低于目标，而NAND
从热压到混合，HBM的封装之战：韩国厂商的内战与全球设备新格局
随着AI计算快速发展，高带宽存储（HBM）已成标配。HBM的根本优势，在于将DRAM芯片垂直堆叠，缩短数据传输路径，提升带宽密度。当前的主流封装技术——热压键合（TCB），通过加热与加压将芯片之间的微小凸点（如锡球）连接起来，但这项技术已逐渐逼近物理极限。
HBM封装迎新变！混合键合“震撼登场”，半导体厂商暗战升级
尤其是在AI算力暴涨的这两年，谁能把芯片堆叠得更高、贴合得更紧、传输得更快，谁就能把握未来。这背后其实是一项叫“混合键合”的技术正在悄悄改变局面。
HBM封装订单已追加到明年
全球存储市场景气呈现明显回温态势，市场预测第四季度DRAM与NAND合约价有望上涨15%-20%，DDR4现货价也同步走强，市场库存正快速去化。
HBM的另一场内战
当前，HBM芯片已成为AI计算的标配，其核心优势源于DRAM芯片的垂直堆叠结构。现阶段，主流的芯片堆叠技术为热压键合（TCB）。该技术通过热量与压力，将带有微小凸点（如锡球或铜柱）的DRAM芯片逐层精密连接。